Fabricarea memoriei flash, care este tehnologia dominantă de memorie nevolatilă, se confruntă cu bariere tehnice severe. Atât de mult încât unele tehnologii emergente au fost propuse ca alternative la memoria flash în nano-regim. Proiectarea memoriei nevolatile: rezistență magnetică și schimbare de fază introduce trei candidați promițători: memoria cu schimbare de fază, memoria magnetică cu acces aleatoriu și memoria rezistivă cu acces aleatoriu. Textul ilustrează mecanismul fundamental de stocare al acestor tehnologii și examinează diferențele lor față de tehnicile de memorie flash. Pe baza celor mai recente progrese, autorii discută metodologiile cheie de proiectare, precum și diferitele funcții și capacități ale celor trei tehnologii de memorie nevolatilă. . Limba: engleză